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CMOS集成電路的性能及特點
CMOS集成電路功耗低
CMOS集成電路采用場效應管,且都是互補結構,工作時兩個串聯(lián)的場效應管總是處于一個管導通,另一個管截止的狀態(tài),電路靜態(tài)功耗理論上為零。實際上,由于存在漏電流,CMOS電路尚有微量靜態(tài)功耗。單個門電路的功耗典型值僅為20mW,動態(tài)功耗（在1MHz工作頻率時）也僅為幾mW。
CMOS集成電路工作電壓范圍寬
CMOS集成電路供電簡單,供電電源體積小,基本上不需穩(wěn)壓。國產(chǎn)CC4000系列的集成電路,可在3~18V電壓下正常工作。
CMOS集成電路邏輯擺幅大
CMOS集成電路的邏輯高電平“1”、邏輯低電平“0”分別接近于電源高電位VDD及電影低電位VSS。當VDD=15V,VSS=0V時,輸出邏輯擺幅近似15V。因此,CMOS集成電路的電壓電壓利用系數(shù)在各類集成電路中指標是較高的。
CMOS集成電路抗干擾能力強
CMOS集成電路的電壓噪聲容限的典型值為電源電壓的45%,保證值為電源電壓的30%。隨著電源電壓的增加,噪聲容限電壓的絕對值將成比例增加。對于VDD=15V的供電電壓（當VSS=0V時）,電路將有7V左右的噪聲容限。
CMOS集成電路輸入阻抗高
CMOS集成電路的輸入端一般都是由保護二極管和串聯(lián)電阻構成的保護網(wǎng)絡,故比一般場效應管的輸入電阻稍小,但在正常工作電壓范圍內(nèi),這些保護二極管均處于反向偏置狀態(tài),直流輸入阻抗取決于這些二極管的泄露電流,通常情況下,等效輸入阻抗高達103~1011Ω,因此CMOS集成電路幾乎不消耗驅(qū)動電路的功率。
CMOS集成電路溫度穩(wěn)定性能好
由于CMOS集成電路的功耗很低,內(nèi)部發(fā)熱量少,而且,CMOS電路線路結構和電氣參數(shù)都具有對稱性,在溫度環(huán)境發(fā)生變化時,某些參數(shù)能起到自動補償作用,因而CMOS集成電路的溫度特性非常好。一般陶瓷金屬封裝的電路,工作溫度為-55
~ +125℃;塑料封裝的電路工作溫度范圍為-45 ~ +85℃。
CMOS集成電路扇出能力強
扇出能力是用電路輸出端所能帶動的輸入端數(shù)來表示的。由于CMOS集成電路的輸入阻抗極高,因此電路的輸出能力受輸入電容的限制,但是,當CMOS集成電路用來驅(qū)動同類型,如不考慮速度,一般可以驅(qū)動50個以上的輸入端。
CMOS集成電路抗輻射能力強
CMOS集成電路中的基本器件是MOS晶體管,屬于多數(shù)載流子導電器件。各種射線、輻射對其導電性能的影響都有限,因而特別適用于制作航天及核實驗設備。
CMOS集成電路可控性好
CMOS集成電路輸出波形的上升和下降時間可以控制,其輸出的上升和下降時間的典型值為電路傳輸延遲時間的125%~140%。
CMOS集成電路接口方便
因為CMOS集成電路的輸入阻抗高和輸出擺幅大,所以易于被其他電路所驅(qū)動,也容易驅(qū)動其他類型的電路或器件。
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