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CMOS集成電路的性能及特點
CMOS集成電路功耗低
CMOS集成電路采用場效應管,且都是互補結構,工作時兩個串聯的場效應管總是處于一個管導通,另一個管截止的狀態,電路靜態功耗理論上為零。實際上,由于存在漏電流,CMOS電路尚有微量靜態功耗。單個門電路的功耗典型值僅為20mW,動態功耗（在1MHz工作頻率時）也僅為幾mW。
CMOS集成電路工作電壓范圍寬
CMOS集成電路供電簡單,供電電源體積小,基本上不需穩壓。國產CC4000系列的集成電路,可在3~18V電壓下正常工作。
CMOS集成電路邏輯擺幅大
CMOS集成電路的邏輯高電平“1”、邏輯低電平“0”分別接近于電源高電位VDD及電影低電位VSS。當VDD=15V,VSS=0V時,輸出邏輯擺幅近似15V。因此,CMOS集成電路的電壓電壓利用系數在各類集成電路中指標是較高的。
CMOS集成電路抗干擾能力強
CMOS集成電路的電壓噪聲容限的典型值為電源電壓的45%,保證值為電源電壓的30%。隨著電源電壓的增加,噪聲容限電壓的絕對值將成比例增加。對于VDD=15V的供電電壓（當VSS=0V時）,電路將有7V左右的噪聲容限。
CMOS集成電路輸入阻抗高
CMOS集成電路的輸入端一般都是由保護二極管和串聯電阻構成的保護網絡,故比一般場效應管的輸入電阻稍小,但在正常工作電壓范圍內,這些保護二極管均處于反向偏置狀態,直流輸入阻抗取決于這些二極管的泄露電流,通常情況下,等效輸入阻抗高達103~1011Ω,因此CMOS集成電路幾乎不消耗驅動電路的功率。
CMOS集成電路溫度穩定性能好
由于CMOS集成電路的功耗很低,內部發熱量少,而且,CMOS電路線路結構和電氣參數都具有對稱性,在溫度環境發生變化時,某些參數能起到自動補償作用,因而CMOS集成電路的溫度特性非常好。一般陶瓷金屬封裝的電路,工作溫度為-55
~ +125℃;塑料封裝的電路工作溫度范圍為-45 ~ +85℃。
CMOS集成電路扇出能力強
扇出能力是用電路輸出端所能帶動的輸入端數來表示的。由于CMOS集成電路的輸入阻抗極高,因此電路的輸出能力受輸入電容的限制,但是,當CMOS集成電路用來驅動同類型,如不考慮速度,一般可以驅動50個以上的輸入端。
CMOS集成電路抗輻射能力強
CMOS集成電路中的基本器件是MOS晶體管,屬于多數載流子導電器件。各種射線、輻射對其導電性能的影響都有限,因而特別適用于制作航天及核實驗設備。
CMOS集成電路可控性好
CMOS集成電路輸出波形的上升和下降時間可以控制,其輸出的上升和下降時間的典型值為電路傳輸延遲時間的125%~140%。
CMOS集成電路接口方便
因為CMOS集成電路的輸入阻抗高和輸出擺幅大,所以易于被其他電路所驅動,也容易驅動其他類型的電路或器件。
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