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| 低容貼片壓敏電阻主要應用在USB2.0,USB3.0，IEEE1394、DVI以及高速以太網等高速數據傳輸端口靜電防護中。南京華巨電子有限公司是國內最大的靜電防護貼片壓敏電阻的專業制造商，公司依托在敏感技術的雄厚實力研發出超低電容量的防靜電貼片壓敏電阻-超低容ESD壓敏電阻，超低容量的防靜電壓敏電阻主要應用于一些高速的信號傳輸接口的應用，在消除靜電的同時可以保證信號不失真，主要應用在USB2.0,USB3.0，IEEE1394、DVI以及高速以太網等高速數據傳輸端口中。USB3.0 ESD貼片壓敏電阻，USB2.0 ESD壓敏電阻，DVI ESD壓敏電阻 IE1394 ESD壓敏電阻。 | |
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1:高分子超低容值靜電抑制器產品規格
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型號 |
工作電壓 | 觸發電壓 | 最大限制電壓 | 電容量 | 漏電流 |
ESD 測試
IEC61000-4-2 |
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| Vac | Vdc | VV |
Vc(V) |
CN(pF) | IL | ||
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8/20μs |
@1MHZ | (nA) | |||||
| SMD0402ESD5R5T | 4.0 | 5.5 | 350 | 35 | ＜0.15 | ＜10 |
接觸放電電壓:8kv
空氣放電電壓: 15kv |
| SMD0402ESD6R0T | 5.0 | 6.0 | 350 | 35 | ＜0.15 | ＜10 | |
| SMD0402ESD120T | 10.0 | 12.0 | 300 | 35 | ＜0.15 | ＜10 | |
| SMD0402ESD140T | 12.0 | 14.0 | 500 | 50 | ＜0.15 | ＜10 | |
| SMD0402ESD240T | 18.0 | 24.0 | 500 | 50 | ＜0.15 | ＜10 | |
| SMD0603ESD5R5T | 4.0 | 5.5 | 350 | 35 | ＜0.15 | ＜10 | |
| SMD0603ESD6R0T | 5.0 | 6.0 | 350 | 35 | ＜0.15 | ＜10 | |
| SMD0603ESD120T | 10.0 | 12.0 | 150 | 35 | ＜0.15 | ＜10 | |
| SMD0603ESD240T | 18.0 | 24.0 | 125 | 35 | ＜0.15 | ＜10 | |
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SMD0603ESD240T1 |
18.0 | 24.0 | 500 | 50 | ＜0.15 | ＜10 | |
| SMD0603ESD300T | 25.0 | 30.0 | 300 | 35 | ＜0.15 | ＜10 | |
2.低容靜電防護型產品：
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型號 |
工作電壓 | 壓敏電壓 | 最大限制電壓 |
電容量 |
ESD 測試
IEC61000-4-2 |
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| Vac | Vdc | 最小值 | 最大值 |
Vc(V) |
CN(pF) | △CP(pF) | ||
| V1mA(V) |
8/20μs |
@1MHZ | ||||||
| SMD0402E180N1R5T | 14.0 | 18.0 | 46 | 60 | 110 | 1.5 | ±2pF |
接觸放電電壓:8kv
空氣放電電壓: 15kv |
| SMD0402E180N3R0T | 14.0 | 18.0 | 22 | 34 | 58 | 3.0 | ±2pF | |
| SMD0402E180N5R0T | 14.0 | 18.0 | 22 | 34 | 58 | 5 | ±2pF | |
| SMD0402E180N100T | 14.0 | 18.0 | 22 | 34 | 58 | 10 | ±30% | |
| SMD0402E180N150T | 14.0 | 18.0 | 22 | 34 | 58 | 15 | ±30% | |
| SMD0402E260N5R0T | 20.0 | 26.0 | 46 | 60 | 110 | 5 | ±2pF | |
| SMD0402E420N3R0T | 30.0 | 42.0 | 46 | 75 | 135 | 3 | ±2pF | |
| SMD0603E5R0N5R0T | 4.0 | 5.0 | 22 | 34 | 58 | 5 | ±2pF | |
| SMD0603E9R0N3R0T | 6.0 | 9.0 | 36 | 60 | 110 | 3 | ±2pF | |
| SMD0603E120N5R0T | 9.0 | 12.0 | 30 | 40 | 70 | 5 | ±2pF | |
| SMD0603E180N3R0T | 14.0 | 18.0 | 36 | 60 | 110 | 3 | ±2pF | |
| SMD0603E180N7R0T | 14.0 | 18.0 | 36 | 60 | 110 | 7 | ±2pF | |
| SMD0603E180N120T | 14.0 | 18.0 | 22 | 34 | 58 | 12 | ±30% | |
| SMD0603E180N150T | 14.0 | 18.0 | 22 | 34 | 58 | 15 | ±30% | |
| SMD0603E180N220T | 14.0 | 18.0 | 22 | 34 | 58 | 22 | ±30% | |
3.1、可靠性
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試驗項目 |
試驗方法 |
技術要求 |
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常溫受潮 |
90%RH，40℃，施加工作電壓1000小時 |
△VV/VV≤±10% |
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溫度沖擊 |
-40～85℃,30min,5循環 |
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高溫壽命 |
環境溫度：85℃下施加工作電壓，保持1000小時 |
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耐焊接熱 |
260℃ 10s |
1. △VV/VV≤±10% |
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IEC 61000-4-2 4級靜電放電測試（接觸放電） |
放電測試電壓：8kV；峰值放電電流30A；上升時間：0.7～1ns |
△VV/VV≤±10% |
3.2、包裝
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尺寸 |
數量 |
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0402 |
10000pcs |
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0603 |
5000pcs |
3.3、應用領域
USB、HDMI、IEEE1394、DVI、高速以太網等高速數據傳輸端口。
2.1特性及應用
壓敏電壓的溫度特性
4.1靜電消除測試電路及波形圖
4.2各個系統傳輸時所建議的電容值
| 應用介面 |
傳輸速率 |
上升時間 |
建議使用容值 |
| HDMI 1.3 Data Port | 10.2G bps | 0.02～0.03ns | ＜0.15pF |
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USB 3.0 Data Port |
4.80G bps |
0.05～0.06ns |
＜0.3pF |
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USB 2.0 Data Port |
480M bps |
0.5～0.6ns |
＜4pF |
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USB 1.0 Data Port |
12M bps |
4～20ns |
5～10 pF |
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Wireless Device |
1.5M bps |
75～300ns |
5～10 pF |
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RS232, IrDA1.0 |
115.2 K |
1us～8us |
10～100 pF |
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Audio (Microphone/Sperker) |
20～20K Hz |
0.05ms～5ms |
10～1000 pF |
在今年計算機硬件的熱門話題中，USB3.0絕對是最受矚目的。USB3.0的數據傳輸速率比現有的USB2.0快上十倍，剛好迎合日益大增的高畫質、大容量儲存需求。無論是外接式硬盤、隨身碟、相機記憶卡均可大幅縮減儲存的時間。除了在計算機上的應用之外，手機與相機的傳輸也幾乎都是使用USB規格，甚至許多產品更直接把充電端與USB結合，難怪各界皆如此期待USB3.0的廣泛使用，好讓使用者享受4.8Gbps的傳輸快感。USB3.0接口分成主機（Host）端與裝置（Device）端，必須先有Host端的支持，周邊的Device端才能搭配；而芯片大廠英特爾及超微自2010年起亦已開始研發將支持USB3.0為南橋規格，加上微軟Windows 7也確定研發支持USB3.0的drivers，預估USB 3.0取代USB2.0已是既定趨勢。 為實現十倍于USB2.0的傳輸速度，USB 3.0控制芯片必須使用更先進的制程來設計與制造，但這也造成USB 3.0的控制芯片對ESD的耐受能力快速下降。除此之外，USB 3.0會被大量用來傳輸影音數據，對數據傳輸容錯率會有越嚴格的要求，使得使用額外的保護組件來防止ESD事件對數據傳輸的干擾變得很必要。除了傳輸速度的要求之外，另一個使用者最普遍的USB應用就是隨插即用、隨拔即關。然而這個熱插拔動作卻也經常是造成電子系統工作異常、甚至造成USB連接端口組件毀壞的元兇，因為如靜電放電(ESD)等瞬時噪聲就是來自這個熱插拔動作。要用在USB3.0連接端口的ESD防護組件必須同時符合下面三項要求：
第一、ESD防護組件本身的寄生電容必須要小，為不影響USB3.0 4.8Gbps的傳輸速率，其寄生電容必須小于0.3pF。
第二、防護組件對ESD的耐受能力必須要高，最少要能承受IEC 61000-4-2接觸模式8kV ESD的轟擊。
第三、也是最重要的一項要求，防護組件在ESD事件發生期間所提供的箝制電壓必須要夠低，不能造成傳輸數據的損壞。
以上三項要求缺一不可，缺少了任何一個要項，USB3.0連接埠就無法被完善地保護。然而要同時符合以上三項要求的ESD防護組件，其本身的設計難度就相當高。
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